Description

1. 使用現有的 Tenting（Subtractive）方法實現 50 節距
2. 而不應用 MSAP 方法, 重銅應用以及現有的 MLB、HDI 和 PKG 基板應用
3. 維護保養方便
4. 在氯化銅基上製造細間距產品時，通過添加添加劑即可輕鬆維持濃度

Tenting(Subtractive) Process

[Source : ROCKET PCB]

Line/Space : 30/20um

Line/Space : 40/20um

Line/Space : 50/30um

* E/F – Etching Factor = Thickness / ((Bottom – Top) /2)

Mechanism

1. Conventional etching
   

   水平方向的蝕刻速度比垂直方向的蝕刻速度快

   

2. EX-F20添加劑

   由於垂直方向的蝕刻速度比水平方向的蝕刻速度部分更快，因此蝕刻系數得到改善
   

1. 润湿剂：Cu2+ 强化蝕刻液循環

2. 抑制剂：抑制窄部和寬部的側蝕，保持蝕刻平衡
   

   Etching rate ① ≒ ②

   → Cu 厚度增加 (2oz ↑) ① 和 ② 之間的蝕刻平衡出现差異

3. 使用蝕刻控制器自动供應溶液

4. EX-F20：3%~5%濃度維持

5. 维持初始化妝值