Description

1. 化學銅蝕刻速率：5um/min，電銅蝕刻速率：0.2～0.35um/min
2. 確保當前開發藥物的寬蝕刻範圍：確保蝕刻低於30 間距、20 間距和 10 間距，且無底切
3. 檢查每個間距約4um的蝕刻量，並確認電路偏移可以最小化 提高設計自由度
4. 為了使化學鍍銅厚度平坦化，即使化學鍍銅厚度為5um，也無需進行Ti/Cu濺射
5. 蝕刻確認可達8/1.8um。通過確保電路直線度，最大限度地減少因非蝕刻而導致電路缺陷的可能性
6. 設計2/2um 時儘量減少偏移
   Etching 确保线路直线度
   
   

[Pitch]

Etching 前后对比

[Line/space]

1. 抑制劑與銅表面結合以抑制銅蝕刻
2. 在底部的種子層中，抑制劑的結合被噴霧的垂直力破壞，並且蝕刻進行
3. 假設抑制劑與其他力的結合力的差異導致底面和側面之間的蝕刻速度的差異
4. 
   

Mechanism