Description
- 隨著陶瓷基板 EV的增長, 到2030年為止預計年均增長率將達到 26%
- 加速向高耐熱, 高放熱的‘結合方式’ AMB方式轉變
- 產品類型: SiN AMB & AIN AMB
- 應用領域: Automobile, 再生能源等

[Source : LX Semicon]
TIE-200
- 用作Seed Layer的Sputtering Ti Etchant → 可適用半導體, PCB, 其他領域及 Fine pitch
- 穩定性優秀, R-Cost與廢水費用節約效果顯著 (無需補充即可使用10天)
- 除 Ti 外,無Cu Attack 和 Damage
- Spray type & 沉積都可以使用 (無發生泡沐)
- 使用溫度 : 23℃ ~ 27℃
- Ti Etching Rate : 500~550Å /min (基準產品對比 Etching rate 2倍增加)
- 補充方式 : H2O2 濃度 180g/L 或者 Ti濃度 3,500 ppm 到達時,Dump out 進行 (不補充)
Ti Etching Process

PROPERTIES (TIE-200)

Ti 濃度別 H2O2 變化量

Ti 濃度别 pH 變化量

Ti 濃度别比重變化量











