Ti Etchant for Ceramic Substrate TIE-200

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Description

  1. 隨著陶瓷基板 EV的增長, 到2030年為止預計年均增長率將達到 26%
  2. 加速向高耐熱高放熱的‘結合方式’ AMB方式轉變
  1. 產品類型: SiN AMB & AIN AMB
  2. 應用領域: Automobile, 再生能源等


[Source : LX Semicon]

 

TIE-200

  1. 用作Seed LayerSputtering Ti Etchant → 可適用半導體, PCB, 其他領域及 Fine pitch
  2. 穩定性優秀, R-Cost與廢水費用節約效果顯著 (無需補充即可使用10)
  3. Ti 外,無Cu Attack Damage
  4. Spray type & 沉積都可以使用 (無發生泡沐)
  5. 使用溫度 : 23~ 27
  6. Ti Etching Rate : 500~550Å /min (基準產品對比 Etching rate 2倍增加)
  7. 補充方式 : H2O2 濃度 180g/L 或者 Ti濃度 3,500 ppm 到達時,Dump out 進行 (不補充)

Ti Etching Process

 

PROPERTIES (TIE-200)

 

Ti 濃度別 H2O2 變化量

 

Ti 濃度别 pH 變化量

 

Ti 濃度别比重變化量